IR 贴片场效应管IRLML0060TRPBF/明启通电子
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IR 贴片场效应管IRLML0060TRPBF/明启通电子
详细信息 我司出售IRLML0060TRPBF场效应管，诚信经营，品质保证，欢迎订购。
IRLML0060TRPBF场效应管产品参数及功能如下：
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25° 时）：2.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：92 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 25μ
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±6V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：290pF @ 25V
功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
工作温度：-55° ~ 150° （TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：Micro3?/SOT-23
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
产品广泛应用于消费类产品，如鼠标，监控，蓝牙，移动电源
网上价格为系统默认价格，具体价格请咨询客服！有需要IRLML0060TRPBF场效应管的可以随时联系我们哦！
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