深圳市明启通电子有限公司

我司出售NDS0605-NL场效应管，诚信经营，品质保证，欢迎订购。 NDS0605-NL场效应管产品参数及功能如下： FET 类型：P 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60V0.18A 电流 - 连续漏极（Id）（25° 时）：780mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 610mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μ 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.6nC @ 4.45V Vgs（最大值）：±
2V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：97pF @ 15V 功率耗散（最大值）：540mW（Ta） 工作温度：-55° ~ 150°（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：Micro3?/SOT-23 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 产品广泛应用于消费类产品，如鼠标，监控，蓝牙，移动电源 网上价格为系统默认价格，具体价格请咨询客服！有需要NDS0605-NL场效应管的可以随时联系我们哦！